江西誉鸿锦芯片科技有限公司成立于2021年1月，坐落在江西省抚州市高新技术产业开发区半导体科技园，主要从事高品质氮化镓（GaN）电子材料和高端光电材料的MOCVD外延生长及器件、模组的研发和生产制造。 江西誉鸿锦技术团队成员十余年来专注于GaN电子器件，如射频/功率肖特基二极管（SBD）、高电子迁移率晶体管（HEMT）的研发，拥有丰富的工艺经验，掌握了氮化镓外延、器件制备和封装等领域的核心技术，达到世界先进水平。同时，在UVC- LED和GaN 蓝绿激光器的研发和生产上，公司引进日本大阳日酸株式会社MOCVD设备，由世界一流的专家提供技术支持。 公司已具备4/6/8寸氮化镓电子材料的外延生产能力，拥有一条SBD/HEMT芯片中试生产线，一条封装测试线，具备每月产能5万片，对应约1.5亿颗芯片。 江西誉鸿锦芯片科技有限公司将致力于实现氮化镓电子器件和高端光电器件等领域的 中国智造 ！ 公司未来五年规划，将分成三期，详情如下： 第一期：一期项目投资约3亿元人民币，其中生产设备投资2.7亿元人民币，厂房装修优化约3000万人民币，建设包含6台MOCVD的氮化镓外延生产线（投资约1亿元人民币），一条芯片中试生产线（投资约1.3亿元人民币）以及一条封装测试线（投资约7000万元人民币），一期将可形成月产能1500片，对应约1500万颗芯片。 第二期：二期项目投资金额约9亿元人民币，其中二期项目第一阶段投资新增10台MOCVD的氮化镓外延片生产线，第二阶段建一条芯片量产线和再增加10台MOCVD的氮化镓外延片生产线。二期将可形成月产能6000片，对应约6000万颗芯片，项目完成后将可实现年主营业务30亿元人民币左右，年入库税收约7500万元人民币。 第三期：三期项目投资金额约38亿元人民币，其中增加两条氮化镓芯片生产线，月产能20000片，对应约2亿颗芯片，项目完成后将可实现年主营业务收入达100亿人民币左右，年入库税收约2.5亿元。